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職種 電子

求人概要 【年収580～880万円】 次世代半導体を用いたパワーデバイスの設計、試作検証および生産プロセス開発業務をお任せします。 具体的には・・・ ・電力変換回路に使用されるパワーデバイスの省エネ化に向けた開発 ・スイッチングデバイスの低損失化の要求と低コスト化 ・産機・車載・サーバ向けインバータ素子として魅力あるパワーデバイス半導体の新製品開発業務 など

勤務地 京都府相楽郡 精華町

必要スキル ・IGBT/MOSFET/HEMT/ワイドバンドギャップ半導体等に関する知識 ・エピタキシャル成長/エッチング等に関する知識